Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Show other versions (1)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Fell, T
,
Wilshaw, P
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1989
מלאי ספרים
תיאור
Other Versions (1)
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1991)