RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON

Hiển thị phiên bản (1) khác

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Fell, T, Wilshaw, P
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	1989

Những quyển sách tương tự

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1993)

DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1986)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1984)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Galloway, S, et al.
Được phát hành: (1993)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2003)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
Bằng: Gregori, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Chemical etching to dissolve dislocation cores in multicrystalline silicon
Bằng: Gregori, N, et al.
Được phát hành: (2012)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

EFFECTIVE SILICON DEVICE STRUCTURES WITH RADIATIVE RECOMBINATION ON DISLOCATIONS
Bằng: A. V. Mudryi, et al.
Được phát hành: (2015-03-01)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2004)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2004)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1985)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

ELECTRICAL BEHAVIOUR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING FAULT RIBBONS IN SILICON.
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1982)

THE ELECTRICAL BEHAVIOR OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS, SHOCKLEY PARTIALS AND STACKING-FAULT RIBBONS IN SILICON
Bằng: Ourmazd, A, et al.
Được phát hành: (1983)

Electron beam induced current investigations of transition metal impurities at extended defects in silicon
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1995)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2002)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)