Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Zobrazit další vydání (1)
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Médium:
Journal article
Vydáno:
1989
Jednotky
Popis
Další vydání (1)
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Autor: Wilshaw, P, a další
Vydáno: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Autor: Fell, T, a další
Vydáno: (1991)