Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Show other versions (1)
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Fformat:
Journal article
Cyhoeddwyd:
1989
Daliadau
Disgrifiad
Other Versions (1)
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Eitemau Tebyg
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
gan: Fell, T, et al.
Cyhoeddwyd: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
gan: Wilshaw, P, et al.
Cyhoeddwyd: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
gan: Wilshaw, P, et al.
Cyhoeddwyd: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
gan: Wilshaw, P, et al.
Cyhoeddwyd: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
gan: Fell, T, et al.
Cyhoeddwyd: (1991)