Weiter zum Inhalt
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprache
Alle Felder
Titel
Verfasser
Schlagwort
Signatur
ISBN/ISSN
Tag
Suchen
Erweitert
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Zitieren
SMS versenden
Als E-Mail versenden
Drucken
Datensatz exportieren
Exportieren nach RefWorks
Exportieren nach EndNoteWeb
Exportieren nach EndNote
Persistenter Link
Exportació completada —
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Weitere Versionen anzeigen (1)
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Format:
Journal article
Veröffentlicht:
1989
Exemplare
Beschreibung
Weitere Versionen (1)
Ähnliche Einträge
Internformat
Ähnliche Einträge
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
von: Fell, T, et al.
Veröffentlicht: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
von: Wilshaw, P, et al.
Veröffentlicht: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
von: Fell, T, et al.
Veröffentlicht: (1991)