Joan edukira
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Hizkuntza
Eremu guztiak
Izenburua
Egilea
Gaia
Sailkapena
ISBN/ISSN
Etiketa
Bilatu
Aurreratua
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Erreferentzia bihurtu
SMS
Bidali
Imprimir
Erregistroa esportatu
Nora RefWorks
Nora EndNoteWeb
Nora EndNote
Permanent link
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Show other versions (1)
Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Formatua:
Journal article
Argitaratua:
1989
Aleari buruzko argibideak
Deskribapena
Other Versions (1)
Antzeko izenburuak
MARC erregistroa
Antzeko izenburuak
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
nork: Fell, T, et al.
Argitaratua: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
nork: Wilshaw, P, et al.
Argitaratua: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
nork: Wilshaw, P, et al.
Argitaratua: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
nork: Wilshaw, P, et al.
Argitaratua: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
nork: Fell, T, et al.
Argitaratua: (1991)