Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Näytä muut versiot (1)
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
1989
Saatavuustiedot
Kuvaus
Muut versiot (1)
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Tekijä: Fell, T, et al.
Julkaistu: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Tekijä: Wilshaw, P, et al.
Julkaistu: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Tekijä: Wilshaw, P, et al.
Julkaistu: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Tekijä: Wilshaw, P, et al.
Julkaistu: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Tekijä: Fell, T, et al.
Julkaistu: (1991)