Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Pokaż inne wersje (1)
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Format:
Journal article
Wydane:
1989
Egzemplarz
Opis
Inne wersje (1)
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
od: Fell, T, i wsp.
Wydane: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
od: Wilshaw, P, i wsp.
Wydane: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
od: Wilshaw, P, i wsp.
Wydane: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
od: Wilshaw, P, i wsp.
Wydane: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
od: Fell, T, i wsp.
Wydane: (1991)