Ir para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Palavra solta
Título
Autor
Assunto
Área/Cota
ISBN/ISSN
Tag
Pesquisar
Avançada
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por email
Imprimir
Exportar registo
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Permanent link
Izvoz spreman —
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Show other versions (1)
Detalhes bibliográficos
Main Authors:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Formato:
Journal article
Publicado em:
1989
Exemplares
Descrição
Other Versions (1)
Registos relacionados
Registo fonte
Registos relacionados
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Por: Fell, T, et al.
Publicado em: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Por: Wilshaw, P, et al.
Publicado em: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Por: Wilshaw, P, et al.
Publicado em: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Por: Wilshaw, P, et al.
Publicado em: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Por: Fell, T, et al.
Publicado em: (1991)