Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Показать другие версии (1)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1989
Фонды
Описание
Другие версии (1)
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
по: Fell, T, и др.
Опубликовано: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
по: Fell, T, и др.
Опубликовано: (1991)