Hoppa till innehåll
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Språk
Alla fält
Titel
Upphovsman
Ämne
Signum
ISBN/ISSN
Tagg
Sök
Avancerad
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Hänvisa
Textmeddelande
Skicka per e-post
Skriv ut
Exportera posten
Exportera till: RefWorks
Exportera till: EndNoteWeb
Exportera till: EndNote
Permanent länk
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Visa andra versioner (1)
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Materialtyp:
Journal article
Publicerad:
1989
Beståndsuppgifter
Beskrivning
Andra versioner (1)
Liknande verk
Katalogiseringsuppgifter
Liknande verk
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
av: Fell, T, et al.
Publicerad: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
av: Wilshaw, P, et al.
Publicerad: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
av: Wilshaw, P, et al.
Publicerad: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
av: Wilshaw, P, et al.
Publicerad: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
av: Fell, T, et al.
Publicerad: (1991)