Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Hiển thị phiên bản (1) khác
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
1989
Đang giữ
Miêu tả
Phiên bản (1) khác
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1991)