High-resolution electron backscatter diffraction in III-nitride semiconductors
Автори: | Vilalta-Clemente, A, Naresh-Kumar, G, Nouf Allehiani, M, Parbrook, P, Boulbar, E, Allsopp, D, Shields, P, Trager-Cowan, C, Wilkinson, A |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
Cambridge University Press
2015
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Cross-correlation based high resolution electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging for strain mapping and dislocation distributions in InAlN thin films
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (2016) -
Characterization of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2006) -
Electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging of tilt and dislocations in nitride thin films
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2007) -
Characterisation of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2006) -
Analysis of dislocation densities using high resolution electron backscatter diffraction
за авторством: Vilalta-Clemente, A, та інші
Опубліковано: (2015)