High-resolution electron backscatter diffraction in III-nitride semiconductors
Những tác giả chính: | Vilalta-Clemente, A, Naresh-Kumar, G, Nouf Allehiani, M, Parbrook, P, Boulbar, E, Allsopp, D, Shields, P, Trager-Cowan, C, Wilkinson, A |
---|---|
Định dạng: | Conference item |
Được phát hành: |
Cambridge University Press
2015
|
Những quyển sách tương tự
-
Cross-correlation based high resolution electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging for strain mapping and dislocation distributions in InAlN thin films
Bằng: Wilkinson, A, et al.
Được phát hành: (2016) -
Characterization of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2006) -
Electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging of tilt and dislocations in nitride thin films
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2007) -
Characterisation of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging
Bằng: Trager-Cowan, C, et al.
Được phát hành: (2006) -
Analysis of dislocation densities using high resolution electron backscatter diffraction
Bằng: Vilalta-Clemente, A, et al.
Được phát hành: (2015)