Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
Format:
Conference item
Wydane:
1991
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Opis
Streszczenie:
Podobne zapisy
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
od: Lakrimi, M, i wsp.
Wydane: (1992)
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
od: Haywood, S, i wsp.
Wydane: (1991)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
od: Lakrimi, M, i wsp.
Wydane: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
od: Norman, A, i wsp.
Wydane: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
od: Roslan, Sharizar, i wsp.
Wydane: (2006)