ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE

ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Lakrimi, M, Mason, N, Nicholas, R, Stringfellow, G, Summers, G, Walker, P
Materyal Türü:	Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:	1991

Benzer Materyaller

OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1992)

GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
Yazar:: Haywood, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
Yazar:: Norman, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
Yazar:: Roslan, Sharizar, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE /
Yazar:: Zulkafli Othaman, author, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)

Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE .3. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor
Yazar:: Booker, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

[001]-ORIENTED AND PIEZOELECTRIC-[111]-ORIENTED INAS/GASB STRUCTURES UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE
Yazar:: Symons, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
Yazar:: D. A. Yatsyna, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-06-01)

CYCLOTRON-RESONANCE IN INAS/GASB HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Sundaram, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1992)

GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
Yazar:: Chidley, E, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1988)

Intersubband lifetimes in InAs/GaSb superlattices using saturated absorption spectroscopy
Yazar:: Poulter, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
Yazar:: Poulter, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Intersubband transitions in InAs GaSb semimetallic superlattices
Yazar:: Poulter, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
Yazar:: Poulter, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Yazar:: Warburton, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

ONE-DIMENSIONAL TRANSPORT AND GATING OF INAS/GASB STRUCTURES
Yazar:: Chen, Y, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
Yazar:: Symons, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .1.
Yazar:: Booker, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
Yazar:: Symons, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
Yazar:: Symons, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .2.
Yazar:: Booker, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

Intersubband transitions in InAs/GaSb semi-metallic superlattices
Yazar:: Poulter, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
Yazar:: Daly, MS, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
Yazar:: Daly, MS, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Long wavelength photoresponse of short period InAs/GaSb superlattices
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1995)

Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers
Yazar:: Akihiro Ohtake, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018-11-01)

PIEZOELECTRIC CONTROL OF DOPING AND BAND-STRUCTURE IN THE CROSSED GAP SYSTEM GASB/INAS
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1992)

ORIENTATION AND PRESSURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
Yazar:: Symons, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)

Properties of narrow gap quantum dots and wells in the InAs/InSb/GaSb systems
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Effect of chemical bond polarity on wafer and cleavage surface oxidation for GaAs, GaSb, InAs and InSb single crystals
Yazar:: Ulyana M. Matveyenka, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-10-01)

GROWTH OF GASB BY MOVPE
Yazar:: Haywood, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1988)

Non-Debye heat capacity formula refined and applied to GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb
Yazar:: R. Pässler
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013-08-01)

Minigaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

Thermopower and conductivity of InAs/GaSb crossed-gap heterostructures in a magnetic field
Yazar:: Cao, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices assessed by means of TEM, AFM and PL
Yazar:: Mock, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Vertical transport and electroluminescence in InAs/GaSb/InAs structures: GaSb thickness and hydrostatic pressure studies
Yazar:: Roberts, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)

Intersubband transitions in InAs/GaSb superlattices in a parallel magnetic field
Yazar:: De Meester, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

Perpendicular and parallel magnetic field transport measurements in gated InAs/GaSb DHETs
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Mini-gaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)