ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE

ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Lakrimi, M, Mason, N, Nicholas, R, Stringfellow, G, Summers, G, Walker, P
Médium:	Conference item
Vydáno:	1991

Podobné jednotky

OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1992)

GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
Autor: Haywood, S, a další
Vydáno: (1991)

GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1991)

Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
Autor: Norman, A, a další
Vydáno: (1997)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
Autor: Roslan, Sharizar, a další
Vydáno: (2006)

Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE /
Autor: Zulkafli Othaman, author, a další
Vydáno: (2007)

Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE .3. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor
Autor: Booker, G, a další
Vydáno: (1997)

[001]-ORIENTED AND PIEZOELECTRIC-[111]-ORIENTED INAS/GASB STRUCTURES UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE
Autor: Symons, D, a další
Vydáno: (1994)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
Autor: D. A. Yatsyna, a další
Vydáno: (2019-06-01)

CYCLOTRON-RESONANCE IN INAS/GASB HETEROSTRUCTURES
Autor: Sundaram, G, a další
Vydáno: (1992)

GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
Autor: Chidley, E, a další
Vydáno: (1988)

Intersubband lifetimes in InAs/GaSb superlattices using saturated absorption spectroscopy
Autor: Poulter, A, a další
Vydáno: (1998)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
Autor: Poulter, A, a další
Vydáno: (1998)

Intersubband transitions in InAs GaSb semimetallic superlattices
Autor: Poulter, A, a další
Vydáno: (1999)

Optical probing of the minigap in InAs/GaSb superlattices
Autor: Poulter, A, a další
Vydáno: (1999)

PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
Autor: Warburton, R, a další
Vydáno: (1991)

ONE-DIMENSIONAL TRANSPORT AND GATING OF INAS/GASB STRUCTURES
Autor: Chen, Y, a další
Vydáno: (1994)

TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
Autor: Symons, D, a další
Vydáno: (1995)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .1.
Autor: Booker, G, a další
Vydáno: (1994)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
Autor: Symons, D, a další
Vydáno: (1998)

Magnetic breakdown in the semimetallic InAs/GaSb system
Autor: Symons, D, a další
Vydáno: (1998)

GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .2.
Autor: Booker, G, a další
Vydáno: (1995)

Intersubband transitions in InAs/GaSb semi-metallic superlattices
Autor: Poulter, A, a další
Vydáno: (1998)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
Autor: Daly, MS, a další
Vydáno: (1996)

Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
Autor: Daly, MS, a další
Vydáno: (1996)

Long wavelength photoresponse of short period InAs/GaSb superlattices
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1995)

Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers
Autor: Akihiro Ohtake, a další
Vydáno: (2018-11-01)

PIEZOELECTRIC CONTROL OF DOPING AND BAND-STRUCTURE IN THE CROSSED GAP SYSTEM GASB/INAS
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1992)

ORIENTATION AND PRESSURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
Autor: Symons, D, a další
Vydáno: (1994)

Properties of narrow gap quantum dots and wells in the InAs/InSb/GaSb systems
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (2004)

Effect of chemical bond polarity on wafer and cleavage surface oxidation for GaAs, GaSb, InAs and InSb single crystals
Autor: Ulyana M. Matveyenka, a další
Vydáno: (2024-10-01)

GROWTH OF GASB BY MOVPE
Autor: Haywood, S, a další
Vydáno: (1988)

Non-Debye heat capacity formula refined and applied to GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb
Autor: R. Pässler
Vydáno: (2013-08-01)

Minigaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1997)

Thermopower and conductivity of InAs/GaSb crossed-gap heterostructures in a magnetic field
Autor: Cao, S, a další
Vydáno: (1996)

Self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices assessed by means of TEM, AFM and PL
Autor: Mock, P, a další
Vydáno: (1999)

Vertical transport and electroluminescence in InAs/GaSb/InAs structures: GaSb thickness and hydrostatic pressure studies
Autor: Roberts, M, a další
Vydáno: (2002)

Intersubband transitions in InAs/GaSb superlattices in a parallel magnetic field
Autor: De Meester, R, a další
Vydáno: (2000)

Perpendicular and parallel magnetic field transport measurements in gated InAs/GaSb DHETs
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1998)

Mini-gaps and novel giant negative magnetoresistance in InAs/GaSb semimetallic superlattices
Autor: Lakrimi, M, a další
Vydáno: (1998)