বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
বিন্যাস:
Conference item
প্রকাশিত:
1991
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
অনুযায়ী: Haywood, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
অনুযায়ী: Lakrimi, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1992)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
অনুযায়ী: Lakrimi, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
অনুযায়ী: Norman, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
অনুযায়ী: Roslan, Sharizar, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)