Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
Format:
Conference item
Udgivet:
1991
Beholdninger
Beskrivelse
Lignende værker
Medarbejdervisning
Lignende værker
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
af: Haywood, S, et al.
Udgivet: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
af: Lakrimi, M, et al.
Udgivet: (1992)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
af: Lakrimi, M, et al.
Udgivet: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
af: Norman, A, et al.
Udgivet: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
af: Roslan, Sharizar, et al.
Udgivet: (2006)