Weiter zum Inhalt
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprache
Alle Felder
Titel
Verfasser
Schlagwort
Signatur
ISBN/ISSN
Tag
Suchen
Erweitert
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
Zitieren
SMS versenden
Als E-Mail versenden
Drucken
Datensatz exportieren
Exportieren nach RefWorks
Exportieren nach EndNoteWeb
Exportieren nach EndNote
Persistenter Link
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
Format:
Conference item
Veröffentlicht:
1991
Exemplare
Beschreibung
Ähnliche Einträge
Internformat
Ähnliche Einträge
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
von: Haywood, S, et al.
Veröffentlicht: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
von: Lakrimi, M, et al.
Veröffentlicht: (1992)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
von: Lakrimi, M, et al.
Veröffentlicht: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
von: Norman, A, et al.
Veröffentlicht: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
von: Roslan, Sharizar, et al.
Veröffentlicht: (2006)