İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
Materyal Türü:
Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:
1991
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
Yazar:: Haywood, S, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1992)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
Yazar:: Lakrimi, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
Yazar:: Norman, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
Yazar:: Roslan, Sharizar, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)