Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
THE ELASTIC PROPERTIES OF ION-...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
THE ELASTIC PROPERTIES OF ION-IMPLANTED SILICON
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Burnett, P
,
Briggs, G
Médium:
Journal article
Vydáno:
1986
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
ELASTIC PROPERTIES OF GAAS DURING AMORPHIZATION BY ION-IMPLANTATION
Autor: Mutti, P, a další
Vydáno: (1995)
Ion implantation in semiconductors : silicon and germanium/
Autor: Mayer, James W., 1930-, a další
Vydáno: (1970)
Electrical properties of amorphous chalcogenide/silicon heterojunctions modified by ion implantation
Autor: Hewak, Dan W., a další
Vydáno: (2014)
{111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
Autor: Chou, C, a další
Vydáno: (1995)
{111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
Autor: Chou, C, a další
Vydáno: (1996)