Data for 'Extremely low surface recombination in 1 Ωcm n-type monocrystalline silicon'
Data set embedded in Matlab figures representing the conductance-voltage spectra and interface state density (Dit) derived from it, effective lifetime (tau_eff) as a function minority carrier (Delta_n) and Surface potential, and surface recombination velocity and current calculated from lifetime da...
Հիմնական հեղինակներ: | Bonilla, R, Wilshaw, P |
---|---|
Ձևաչափ: | Dataset |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
University of Oxford
2016
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n-type monocrystalline silicon
: Bonilla Osorio, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
An enhanced alneal process to produce SRV <1 cm/s in 1Ωcm n-type Si
: Collett, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2017) -
Data for "Lowest surface recombination in n-type oxidised crystalline silicon by means of extrinsic field effect passivation"
: Bonilla, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE SURFACE POTENTIAL OF p-TYPE MONOCRYSTALLINE SILICON
: V.K. Lyuev, և այլն
Հրապարակվել է: (2015-11-01) -
Stable field effect surface passivation of n-type Cz silicon
: Bonilla, R, և այլն
Հրապարակվել է: (2013)