Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
IN0.2GA0.8AS/GAAS INTERFACE RE...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
IN0.2GA0.8AS/GAAS INTERFACE REVEALED BY AN ALAS MARKER LAYER
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
,
Usher, B
Format:
Journal article
Izdano:
1993
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
Temperature-dependent generation of misfit dislocations in In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
od: Zou, J, i dr.
Izdano: (1996)
Lomer-Cottrell misfit dislocations in [001]In0.2Ga0.8As/GaAs single heterostructures
od: Zou, J, i dr.
Izdano: (1996)
MAGNETOTRANSPORT IN A PSEUDOMORPHIC GAAS/GA0.8IN0.2AS/GA0.75AL0.25AS HETEROSTRUCTURE WITH A SI DELTA-DOPING LAYER
od: Vanderburgt, M, i dr.
Izdano: (1995)
Observation of strain distributions in partially relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs using electron channelling contrast imaging
od: Wilkinson, A
Izdano: (1996)
QUANTUM TRANSPORT IN ACCUMULATION LAYERS ON CD0.2HG0.8TE
od: Singleton, J, i dr.
Izdano: (1986)