Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM I...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
Библиографические подробности
Главные авторы:
Ourmazd, A
,
Wilshaw, P
,
Cripps, R
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1982
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
по: Ourmazd, A, и др.
Опубликовано: (1983)
THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
по: Ourmazd, A, и др.
Опубликовано: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1983)
SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1983)
NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
по: Wilshaw, P, и др.
Опубликовано: (1985)