İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
The effect of mismatch strain...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Materyal Türü:
Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:
1999
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Özet:
Benzer Materyaller
Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
Yazar:: Jurkschat, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
Yazar:: Hirsch, P
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)
Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
Yazar:: Brehm Moritz, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011-01-01)