The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth

The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Goldfarb, I, Briggs, G
التنسيق:	Conference item
منشور في:	1999

مواد مشابهة

Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
حسب: Jurkschat, K, وآخرون
منشور في: (1996)

The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
حسب: Glasko, J, وآخرون
منشور في: (1997)

A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
حسب: Hirsch, P
منشور في: (1997)

The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
حسب: Glasko, J, وآخرون
منشور في: (1996)

Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
حسب: Brehm Moritz, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Self-Diffusion of Ge in Amorphous GexSi1–x Films Studied In Situ by Neutron Reflectometry
حسب: Erwin Hüger, وآخرون
منشور في: (2024-07-01)

Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics
حسب: Nurulla F. Zikrillaev, وآخرون
منشور في: (2023-09-01)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs Quantum dots grown by stranski krastanow growth modes /
حسب: Didik Aryanto, 1983- author, وآخرون
منشور في: (2009)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by stranski-krastanow growth modes
حسب: Aryanto, Didik, وآخرون
منشور في: (2009)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
حسب: Lobo, C, وآخرون
منشور في: (2000)

Ultra‐Thin Strain‐Relieving Si1−xGex Layers Enabling III‐V Epitaxy on Si
حسب: Trevor R. Smith, وآخرون
منشور في: (2025-02-01)

Transmission electron microscopy study of InGaAs/GaAs structural evolution near the Stranski-Krastanow transformation
حسب: Wellman, J, وآخرون
منشور في: (1999)

Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing
حسب: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

Effect of cooling rate on the microstructure and corrosion properties of Zn-5Al-0.1RE-xSi alloys
حسب: TU Hao, وآخرون
منشور في: (2016-08-01)

Interfacial reacions of Ni on Si1-xGex (x=0.2, 0.3) at low temperature by rapid thermal annealing
حسب: Pey, Kin Leong, وآخرون
منشور في: (2012)

Ellipsometric study of Si1-x Gex alloy
حسب: Paiman, Suriati, وآخرون
منشور في: (2003)

The interfacial reaction of Ni on (100) Si₁âxGex (x=0, 0.25) and (111) Ge
حسب: Jin, Lijuan, وآخرون
منشور في: (2003)

Study of the magnetostructural transition in critical-element free Mn1−xNi1−xFe2xSi0.95Al0.05
حسب: Bruno G. F. Eggert, وآخرون
منشور في: (2023-02-01)

In-line Si1-xGex epitaxial process monitoring and diagnostics using multiwavelength high resolution micro-Raman spectroscopy
حسب: Chun-Wei Chang, وآخرون
منشور في: (2012-06-01)

Intrinsic stress upon Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001)
حسب: Wedler, G, وآخرون
منشور في: (1998)

Introduction of the structure, modeling and analysis of junctionless heterostructure Si/Si1-xGex transistor
حسب: reyhaneh ejlali, وآخرون
منشور في: (2023-03-01)

Anode Properties of CrxV1–xSi2/Si Composite Electrodes for Lithium-Ion Batteries
حسب: Yuta Kimura, وآخرون
منشور في: (2021-03-01)

Textured Ni(Pt) germanosilicide formation on a condensed Si1-xGex/Si substrate
حسب: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

The magnetic and magnetocaloric properties of Al-rich Al0.85+xSi0.15Fe2B2 compounds prepared by drop-casting
حسب: Kyra Stillwell, وآخرون
منشور في: (2023-02-01)

Reactive deposition epitaxy of CoSi2 nanostructures on Si(001): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal
حسب: Goldfarb, I, وآخرون
منشور في: (1999)

Highly lattice-mismatched epitaxy for III-V/Si integration
حسب: Jia, Bowen
منشور في: (2018)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer
حسب: Gnilenko A. B., وآخرون
منشور في: (2015-12-01)

Strained-Si1-xGex/Si Band-to-Band Tunneling Transistors: Impact of Tunnel-Junction Germanium Composition and Doping Concentration on Switching Behavior
حسب: Nayfeh, Osama M., وآخرون
منشور في: (2010)

Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors
حسب: Druzhinin А. A., وآخرون
منشور في: (2012-10-01)

Crystal structure of calcium zinc silicide, CaZnxSi2-x (x = 0.80), and strontium germanium silicide, SrGexSi2-x (x = 1.20)
حسب: Xie Q.-X., وآخرون
منشور في: (2004-04-01)

Laser-induced melt-mediated Ni(Pt) germanosilicide formation on condensed Si1-xGex/Si substrates
حسب: Setiawan, Y., وآخرون
منشور في: (2012)

Experimental study of the effect of the quantum well structures on the thermoelectric figure of merit in Si/Si1-xGex system/
حسب: 285965 Sun, X., وآخرون

Surface morphology of In0.5Ga0.5 quantum dots grown using stranski-krastanov growth mode
حسب: Didik Aryanto,, وآخرون
منشور في: (2010)

KOMPOSISI, STRUKTUR DAN DENSITAS PADUAN U-7Mo-xSi
حسب: Supardjo Supardjo, وآخرون
منشور في: (2021-06-01)

Crystal structures of Ca4+xY3–xSi7O15+xN5–x(0 ≤ x ≤ 1) comprising of an isolated [Si7(O,N)19] unit
حسب: Makoto Kobayashi, وآخرون
منشور في: (2019-02-01)

Structural evolution of Ge-rich Si1−xGex films deposited by jet-ICPCVD
حسب: Yu Wang, وآخرون
منشور في: (2015-11-01)

Effects of Ti/Co and Co/Ti systems on the germanosilicidation of poly-Si capped poly-Si1−xGex substrate
حسب: Li, Y. S., وآخرون
منشور في: (2013)

Influence of composition and substrate miscut on the evolution of {105}-terminated in-plane Si1−xGex quantum wires on Si(001)
حسب: H. Watzinger, وآخرون
منشور في: (2014-07-01)

Contactless monitoring of Ge content and B concentration in ultrathin single and double layer Si1-xGex epitaxial films using multiwavelength micro-Raman spectroscopy
حسب: Chun-Wei Chang, وآخرون
منشور في: (2012-03-01)

SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices /
حسب: Cressler, John D.
منشور في: (2008)