The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth

The effect of mismatch strain on Stranski-Krastanow transition in epitaxial GexSi1-xSi(0 0 1) gas-source growth

Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:	Goldfarb, I, Briggs, G
Materyal Türü:	Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:	1999

Benzer Materyaller

Reduction of dislocation mobility in GexSi1-x epilayers
Yazar:: Jurkschat, K, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

A mechanism for "double half dislocation loops" nucleation in low misfit epitaxial GeXSi1-X on Si
Yazar:: Hirsch, P
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)

The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
Yazar:: Glasko, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1996)

Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
Yazar:: Brehm Moritz, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011-01-01)

Self-Diffusion of Ge in Amorphous GexSi1–x Films Studied In Situ by Neutron Reflectometry
Yazar:: Erwin Hüger, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024-07-01)

Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics
Yazar:: Nurulla F. Zikrillaev, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-09-01)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs Quantum dots grown by stranski krastanow growth modes /
Yazar:: Didik Aryanto, 1983- author, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by stranski-krastanow growth modes
Yazar:: Aryanto, Didik, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2009)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
Yazar:: Lobo, C, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

Ultra‐Thin Strain‐Relieving Si1−xGex Layers Enabling III‐V Epitaxy on Si
Yazar:: Trevor R. Smith, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2025-02-01)

Transmission electron microscopy study of InGaAs/GaAs structural evolution near the Stranski-Krastanow transformation
Yazar:: Wellman, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing
Yazar:: Setiawan, Y., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Effect of cooling rate on the microstructure and corrosion properties of Zn-5Al-0.1RE-xSi alloys
Yazar:: TU Hao, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2016-08-01)

Interfacial reacions of Ni on Si1-xGex (x=0.2, 0.3) at low temperature by rapid thermal annealing
Yazar:: Pey, Kin Leong, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Ellipsometric study of Si1-x Gex alloy
Yazar:: Paiman, Suriati, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

The interfacial reaction of Ni on (100) Si₁âxGex (x=0, 0.25) and (111) Ge
Yazar:: Jin, Lijuan, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

Study of the magnetostructural transition in critical-element free Mn1−xNi1−xFe2xSi0.95Al0.05
Yazar:: Bruno G. F. Eggert, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-02-01)

In-line Si1-xGex epitaxial process monitoring and diagnostics using multiwavelength high resolution micro-Raman spectroscopy
Yazar:: Chun-Wei Chang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012-06-01)

Intrinsic stress upon Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001)
Yazar:: Wedler, G, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1998)

Introduction of the structure, modeling and analysis of junctionless heterostructure Si/Si1-xGex transistor
Yazar:: reyhaneh ejlali, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-03-01)

Anode Properties of CrxV1–xSi2/Si Composite Electrodes for Lithium-Ion Batteries
Yazar:: Yuta Kimura, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-03-01)

Textured Ni(Pt) germanosilicide formation on a condensed Si1-xGex/Si substrate
Yazar:: Setiawan, Y., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

The magnetic and magnetocaloric properties of Al-rich Al0.85+xSi0.15Fe2B2 compounds prepared by drop-casting
Yazar:: Kyra Stillwell, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2023-02-01)

Reactive deposition epitaxy of CoSi2 nanostructures on Si(001): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal
Yazar:: Goldfarb, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)

Highly lattice-mismatched epitaxy for III-V/Si integration
Yazar:: Jia, Bowen
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer
Yazar:: Gnilenko A. B., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-12-01)

Strained-Si1-xGex/Si Band-to-Band Tunneling Transistors: Impact of Tunnel-Junction Germanium Composition and Doping Concentration on Switching Behavior
Yazar:: Nayfeh, Osama M., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors
Yazar:: Druzhinin А. A., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012-10-01)

Crystal structure of calcium zinc silicide, CaZnxSi2-x (x = 0.80), and strontium germanium silicide, SrGexSi2-x (x = 1.20)
Yazar:: Xie Q.-X., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004-04-01)

Laser-induced melt-mediated Ni(Pt) germanosilicide formation on condensed Si1-xGex/Si substrates
Yazar:: Setiawan, Y., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Experimental study of the effect of the quantum well structures on the thermoelectric figure of merit in Si/Si1-xGex system/
Yazar:: 285965 Sun, X., ve diğerleri

Surface morphology of In0.5Ga0.5 quantum dots grown using stranski-krastanov growth mode
Yazar:: Didik Aryanto,, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)

KOMPOSISI, STRUKTUR DAN DENSITAS PADUAN U-7Mo-xSi
Yazar:: Supardjo Supardjo, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2021-06-01)

Crystal structures of Ca4+xY3–xSi7O15+xN5–x(0 ≤ x ≤ 1) comprising of an isolated [Si7(O,N)19] unit
Yazar:: Makoto Kobayashi, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2019-02-01)

Structural evolution of Ge-rich Si1−xGex films deposited by jet-ICPCVD
Yazar:: Yu Wang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2015-11-01)

Effects of Ti/Co and Co/Ti systems on the germanosilicidation of poly-Si capped poly-Si1−xGex substrate
Yazar:: Li, Y. S., ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)

Influence of composition and substrate miscut on the evolution of {105}-terminated in-plane Si1−xGex quantum wires on Si(001)
Yazar:: H. Watzinger, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014-07-01)

Contactless monitoring of Ge content and B concentration in ultrathin single and double layer Si1-xGex epitaxial films using multiwavelength micro-Raman spectroscopy
Yazar:: Chun-Wei Chang, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012-03-01)

SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices /
Yazar:: Cressler, John D.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2008)