Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition

We report a two-temperature procedure for the growth of GaAs nanowires by metalorganic chemical vapour deposition. An initial high temperature step affords effective nucleation and promotes epitaxial growth of straight (111)B-oriented nanowires. Lower temperatures are employed subsequently, to minim...

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ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखकों:	Joyce, H, Kim, Y, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
स्वरूप:	Conference item
प्रकाशित:	2006

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