Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition

We report a two-temperature procedure for the growth of GaAs nanowires by metalorganic chemical vapour deposition. An initial high temperature step affords effective nucleation and promotes epitaxial growth of straight (111)B-oriented nanowires. Lower temperatures are employed subsequently, to minim...

Volledige beschrijving

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Joyce, H, Kim, Y, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Formaat:	Conference item
Gepubliceerd in:	2006

Gelijkaardige items

Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
door: Saxena, D, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
door: Zou, J, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2014)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
door: Song, MS, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
door: Messing, M, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
door: Titova, L, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.
door: Zhang, X, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
door: Wang, H, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
door: Jackson, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

High performance GaAs/AlGaAs radial heterostructure nanowires grown by MOCVD
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
door: Smith, L, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Strong carrier lifetime enhancement in GaAs nanowires coated with semiconducting polymer.
door: Yong, C, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Electron mobilities approaching bulk limits in "surface-free" GaAs nanowires.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2014)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Growth and characterization of GaAs1and#x2212;xSbx nanowires
door: Yuan, X, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Effect of high temperature post-annealing on sidewalls of GaAs NWs grown by MOCVD
door: Guo, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2010)