Microstructural characterisation of novel nitride nanostructures using electron microscopy
<p>Novel semiconductor nanostructures possess a range of notable properties that have the potential to be harnessed in the next generation of optical devices. Electron microscopy is uniquely suited to characterising the complex microstructure, the results of which may be related to the growth...
Автор: | Severs, J |
---|---|
Інші автори: | Nellist, P |
Формат: | Дисертація |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Предмети: |
Схожі ресурси
-
Microstructural properties of semiconductor nanostructures
за авторством: Li, F
Опубліковано: (2011) -
Synthesis and characterisation of large area graphene
за авторством: Robertson, A, та інші
Опубліковано: (2013) -
Atomic scale characterisation of oxide dispersion strengthened steels for fusion applications
за авторством: Williams, C, та інші
Опубліковано: (2012) -
Dynamics of nanostructured light emitted diodes
за авторством: Chan, CCS
Опубліковано: (2014) -
Electron energy loss spectroscopy of fullerene materials
за авторством: Nicholls, R
Опубліковано: (2006)