Fast switching of high current WBG power devices

Wide-band-gap power devices, such as Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors and Silicon Carbide Field-effect Transistors, offer impressively fast switching performance compared to their traditional Silicon counterparts. However, Si designs have not stood still, and new generations of the...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Shelton, E, Ristic-Smith, A, Bruford, J, Rogers, D, Carter, J, Louco, L, Beadman, M, Palmer, P
Ձևաչափ: Conference item
Լեզու:English
Հրապարակվել է: VDE Verlag 2022