III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications

Toon andere (2) versies

Semiconductor nanowires have recently emerged as a new class of materials with significant potential to reveal new fundamental physics and to propel new applications in quantum electronic and optoelectronic devices. Semiconductor nanowires show exceptional promise as nanostructured materials for exp...

Volledige beschrijving

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Joyce, H, Gao, Q, Hoe Tan, H, Jagadish, C, Kim, Y, Zou, J, Smith, L, Jackson, H, Yarrison-Rice, J, Parkinson, P, Johnston, M
Formaat:	Journal article
Taal:	English
Gepubliceerd in:	2011

Gelijkaardige items

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

III-V compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
door: Gao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
door: Gao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Compound semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
door: Gao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
door: Mokkapati, S, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Nanowires for optoelectronic device applications
door: Gao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

III-V compound semiconductor nanowires
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

III-V nanowires for optoelectronic applications
door: Tan, H, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

III-V nanowires for optoelectronic applications
door: Tan, H, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

III-V compound semiconductor nanowires
door: Paiman, S, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Quantum dots and nanowires for optoelectronic device applications
door: Gao, Q, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Growth, structural and optical properties of III-V nanowires for optoelectronic applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Unexpected benefits of rapid growth rate for III-V nanowires.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

An ultrafast switchable terahertz polarization modulator based on III--V semiconductor nanowires
door: Baig, S, et al.
Gepubliceerd in: (2017)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
door: Wang, H, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
door: Jackson, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Ultrafast dynamics of exciton formation in semiconductor nanowires.
door: Yong, C, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

MOCVD-grown indium phosphide nanowires for optoelectronics
door: Paiman, Suriati, et al.
Gepubliceerd in: (2014)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
door: Joyce, HJ, et al.
Gepubliceerd in: (2018)

Polarization tunable, multicolor emission from core-shell photonic III-V semiconductor nanowires.
door: Mokkapati, S, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Direct-write non-linear photolithography for semiconductor nanowire characterization.
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Nearly intrinsic exciton lifetimes in single twin-free GaAs/AlGaAs core-shell nanowire heterostructures
door: Perera, S, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
door: Titova, L, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Dynamics of strongly degenerate electron-hole plasmas and excitons in single InP nanowires.
door: Titova, L, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Polarization and temperature dependence of photoluminescence from zincblende and wurtzite InP nanowires
door: Mishra, A, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Non-linear direct-laser-write lithography for semiconductor nanowire characterisation
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Resonant excitation and imaging of nonequilibrium exciton spins in single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires.
door: Hoang, T, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
door: Smith, L, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Optoelectronic properties of semiconductor nanowires in the infrared regime
door: Sterzl, S
Gepubliceerd in: (2020)

Structural and optical properties of III-V nanowires and nanowire heterostructures grown by metalorganic chemical vapour deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Measuring the electrical properties of semiconductor nanowires using terahertz conductivity spectroscopy
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2013)