Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
Atom probe tomography characte...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Bennett, SE
,
Smeeton, T
,
Saxey, D
,
Smith, G
,
Hooper, SE
,
Heffernan, J
,
Humphreys, C
,
Oliver, R
Formaat:
Journal article
Gepubliceerd in:
2012
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Omschrijving
Samenvatting:
Gelijkaardige items
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
door: Bennett, SE, et al.
Gepubliceerd in: (2011)
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
door: Zhang, Peng Hua
Gepubliceerd in: (2009)
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
door: Choi, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2002)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
door: Lozano-Perez, S, et al.
Gepubliceerd in: (2010)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
door: Lozano-Perez, S, et al.
Gepubliceerd in: (2010)