Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Main Authors: | Bennett, SE, Smeeton, T, Saxey, D, Smith, G, Hooper, SE, Heffernan, J, Humphreys, C, Oliver, R |
---|---|
פורמט: | Journal article |
יצא לאור: |
2012
|
פריטים דומים
-
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
מאת: Bennett, SE, et al.
יצא לאור: (2011) -
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
מאת: Zhang, Peng Hua
יצא לאור: (2009) -
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
מאת: Choi, Y, et al.
יצא לאור: (2002) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
מאת: Lozano-Perez, S, et al.
יצא לאור: (2010) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
מאת: Lozano-Perez, S, et al.
יצא לאור: (2010)