Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Հիմնական հեղինակներ: | Bennett, SE, Smeeton, T, Saxey, D, Smith, G, Hooper, SE, Heffernan, J, Humphreys, C, Oliver, R |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
2012
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
: Bennett, SE, և այլն
Հրապարակվել է: (2011) -
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
: Zhang, Peng Hua
Հրապարակվել է: (2009) -
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
: Choi, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (2002) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
: Lozano-Perez, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2010) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
: Lozano-Perez, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2010)