Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Những tác giả chính: | Bennett, SE, Smeeton, T, Saxey, D, Smith, G, Hooper, SE, Heffernan, J, Humphreys, C, Oliver, R |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Được phát hành: |
2012
|
Những quyển sách tương tự
-
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Bằng: Bennett, SE, et al.
Được phát hành: (2011) -
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Bằng: Zhang, Peng Hua
Được phát hành: (2009) -
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
Bằng: Choi, Y, et al.
Được phát hành: (2002) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Bằng: Lozano-Perez, S, et al.
Được phát hành: (2010) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Bằng: Lozano-Perez, S, et al.
Được phát hành: (2010)