Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Atom probe tomography characte...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Bennett, SE
,
Smeeton, T
,
Saxey, D
,
Smith, G
,
Hooper, SE
,
Heffernan, J
,
Humphreys, C
,
Oliver, R
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
2012
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Tekijä: Bennett, SE, et al.
Julkaistu: (2011)
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Tekijä: Zhang, Peng Hua
Julkaistu: (2009)
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
Tekijä: Choi, Y, et al.
Julkaistu: (2002)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Tekijä: Lozano-Perez, S, et al.
Julkaistu: (2010)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Tekijä: Lozano-Perez, S, et al.
Julkaistu: (2010)