Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
Atom probe tomography characte...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Bennett, SE
,
Smeeton, T
,
Saxey, D
,
Smith, G
,
Hooper, SE
,
Heffernan, J
,
Humphreys, C
,
Oliver, R
Định dạng:
Journal article
Được phát hành:
2012
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Bằng: Bennett, SE, et al.
Được phát hành: (2011)
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Bằng: Zhang, Peng Hua
Được phát hành: (2009)
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
Bằng: Choi, Y, et al.
Được phát hành: (2002)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Bằng: Lozano-Perez, S, et al.
Được phát hành: (2010)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Bằng: Lozano-Perez, S, et al.
Được phát hành: (2010)