A comparison of the hard-switching performance of 650V power transistors with calorimetric verification
We compare the switching losses of four equivalent silicon and wide-bandgap 650V power transistors operated in a hard-switched half-bridge configuration, switching 400V at 40A. Each transistor is mounted on an identical PCB and driven by a gate drive circuit matched to its requirements. Switching sp...
Հիմնական հեղինակներ: | Rogers, DJ, Bruford, J, Ristic-Smith, A, Ali, K, Palmer, P, Shelton, E |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
IEEE
2023
|
Նմանատիպ նյութեր
-
A Comparison of the Hard-Switching Performance of 650 V Power Transistors With Calorimetric Verification
: Daniel J. Rogers, և այլն
Հրապարակվել է: (2023-01-01) -
Fast switching of high current WBG power devices
: Shelton, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2022) -
Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents
: Bruford, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2023) -
Calibration of Tritium Microcalorimeter and Calorimetric Verification of Tritium Samples
: OUYANG Huiping;YUAN Xiaoming;HE Changshui;LI Zhuoxi;ZHANG Peixu;YANG Hongguang
Հրապարակվել է: (2023-08-01) -
Comparison of fast switching high current power devices
: Shelton, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2021)