Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
Format:
Journal article
Publicat:
1986
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
per: Jackman, R, et al.
Publicat: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
per: French, C, et al.
Publicat: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
per: French, C, et al.
Publicat: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
per: Jackman, R, et al.
Publicat: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
per: Murrell, A, et al.
Publicat: (1989)