Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
Médium:
Journal article
Vydáno:
1986
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
Autor: Jackman, R, a další
Vydáno: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
Autor: French, C, a další
Vydáno: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
Autor: French, C, a další
Vydáno: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
Autor: Jackman, R, a další
Vydáno: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
Autor: Murrell, A, a další
Vydáno: (1989)