Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1986
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
מאת: Jackman, R, et al.
יצא לאור: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
מאת: French, C, et al.
יצא לאור: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
מאת: French, C, et al.
יצא לאור: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
מאת: Jackman, R, et al.
יצא לאור: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
מאת: Murrell, A, et al.
יצא לאור: (1989)