Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
Formato:
Journal article
Publicado em:
1986
Itens
Descrição
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
por: Jackman, R, et al.
Publicado em: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
por: French, C, et al.
Publicado em: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
por: French, C, et al.
Publicado em: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
por: Jackman, R, et al.
Publicado em: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
por: Murrell, A, et al.
Publicado em: (1989)