Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
GETTERING OF COPPER IN SILICON...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Показать другие версии (1)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Decoteau, M
,
Wilshaw, P
,
Falster, R
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1991
Фонды
Описание
Другие версии (1)
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
по: Decoteau, M, и др.
Опубликовано: (1991)
GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
по: Decoteau, M, и др.
Опубликовано: (1992)
PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
по: Decoteau, M, и др.
Опубликовано: (1991)
GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
по: Decoteau, M, и др.
Опубликовано: (1990)
GETTERING IN SILICON
по: Falster, R
Опубликовано: (1989)