Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Gas-source growth of group IV...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Export byl úspěšný —
Gas-source growth of group IV semiconductors: I. Si(001) nucleation mechanisms
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Owen, J
,
Miki, K
,
Bowler, DR
,
Goringe, C
,
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Médium:
Journal article
Vydáno:
1997
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: II. Growth regimes and the effect of hydrogen
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)
In situ observation of gas-source molecular beam epitaxy of silicon and germanium on Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1998)
Hydrogen diffusion on Si(001)
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1996)
An experimental-theoretical study of the behaviour of hydrogen on the Si(001) surface
Autor: Bowler, DR, a další
Vydáno: (2000)