Léim chuig an ábhar
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Teanga
Gach réimse
Teideal
Údar
Ábhar
Gairmuimhir
ISBN/ISSN
Clib
AIMSIGH
CASTA
Gas-source growth of group IV...
Luaigh é seo
Seol mar théacs é seo
Seol é seo mar r-phost
Priontáil
Easpórtáil taifead
Easpórtáil chuig RefWorks
Easpórtáil chuig EndNoteWeb
Easpórtáil chuig EndNote
Buan-nasc
Gas-source growth of group IV semiconductors: I. Si(001) nucleation mechanisms
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoirí:
Owen, J
,
Miki, K
,
Bowler, DR
,
Goringe, C
,
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formáid:
Journal article
Foilsithe / Cruthaithe:
1997
Stoc
Cur síos
Míreanna comhchosúla
Amharc foirne
Míreanna comhchosúla
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: II. Growth regimes and the effect of hydrogen
de réir: Owen, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1997)
In situ observation of gas-source molecular beam epitaxy of silicon and germanium on Si(001)
de réir: Goldfarb, I, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1998)
Hydrogen diffusion on Si(001)
de réir: Owen, J, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (1996)
An experimental-theoretical study of the behaviour of hydrogen on the Si(001) surface
de réir: Bowler, DR, et al.
Foilsithe / Cruthaithe: (2000)