Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
PLASTICITY AND DISLOCATION MOB...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Demenet, J
,
Boivin, P
,
Rabier, J
Format:
Conference item
Wydane:
1989
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
od: Wilshaw, P, i wsp.
Wydane: (1989)
MOBILITY OF DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
od: Alexander, H, i wsp.
Wydane: (1989)
FRACTURE AND CRACK TIP PLASTICITY IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
od: Michot, G, i wsp.
Wydane: (1989)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
od: Galloway, S, i wsp.
Wydane: (1993)
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
od: 359597 Ghandi, Sorab K.
Wydane: (1994)