Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
A new type of defect on {11(2)...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
Format:
Journal article
Publicat:
2001
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Descripció
Sumari:
Ítems similars
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
per: Akiyoshi, M, et al.
Publicat: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
per: Mohd Idzat Idris, et al.
Publicat: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
per: Leide, A, et al.
Publicat: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
per: Alex Leide, et al.
Publicat: (2025-02-01)
Ion-implantation-induced extended defect formation in (0001) and (11(2)over-bar0) 4H-SiC
per: Wong-Leung, J, et al.
Publicat: (2005)