Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
A new type of defect on {11(2)...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Библиографические подробности
Главные авторы:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2001
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
по: Akiyoshi, M, и др.
Опубликовано: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
по: Mohd Idzat Idris, и др.
Опубликовано: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
по: Leide, A, и др.
Опубликовано: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
по: Alex Leide, и др.
Опубликовано: (2025-02-01)
Ion-implantation-induced extended defect formation in (0001) and (11(2)over-bar0) 4H-SiC
по: Wong-Leung, J, и др.
Опубликовано: (2005)