A STUDY OF THE CONDUCTION-BAND NONPARABOLICITY, ANISOTROPY AND SPIN SPLITTING IN GAAS AND INP
Автори: | Hopkins, M, Nicholas, R, Pfeffer, P, Zawadzki, W, Gauthier, D, Portal, J, Difortepoisson, M |
---|---|
Формат: | Journal article |
Опубліковано: |
1987
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
CYCLOTRON-RESONANCE STUDY OF NONPARABOLICITY AND SCREENING IN GAAS-GA1-XALXAS HETEROJUNCTIONS
за авторством: Hopkins, M, та інші
Опубліковано: (1987) -
Impact of Band Nonparabolicity on Threshold Voltage of Nanoscale SOI MOSFET
за авторством: Yasuhisa Omura
Опубліковано: (2016-01-01) -
Emerging 2D Materials with Nonparabolic Bands for Ultrafast Photonics
за авторством: Guanyu Liu, та інші
Опубліковано: (2023-10-01) -
THE K.P INTERACTION IN INP AND GAAS FROM THE BAND-GAP DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE MASS
за авторством: Shantharama, L, та інші
Опубліковано: (1984) -
VALENCE BAND SPIN SPLITTING IN STRAINED IN0.18GA0.82AS/GAAS QUANTUM-WELLS
за авторством: Warburton, R, та інші
Опубліковано: (1991)