Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Microstructural origins of loc...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Microstructural origins of localization in InGaN quantum wells
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Oliver, R
,
Bennett, SE
,
Zhu, T
,
Beesley, D
,
Kappers, M
,
Saxey, D
,
Cerezo, A
,
Humphreys, C
Aineistotyyppi:
Journal article
Julkaistu:
2010
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
Tekijä: Watson-Parris, D, et al.
Julkaistu: (2011)
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Tekijä: Bennett, SE, et al.
Julkaistu: (2011)
The consequences of high injected carrier densities on carrier localization and efficiency droop in InGaN/GaN quantum well structures
Tekijä: Hammersley, S, et al.
Julkaistu: (2012)
The microstructure of non-polar a-plane (11 2¯0) InGaN quantum wells
Tekijä: Griffiths, J, et al.
Julkaistu: (2016)
Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
Tekijä: Jarjour, A, et al.
Julkaistu: (2008)